Balanço subliminar ou
SS , é uma medida da mudança na tensão porta-fonte necessária para alterar a corrente de dreno de um MOSFET em uma década. É uma figura de mérito chave para os MOSFETs, pois indica a eficiência com que eles podem alternar entre os estados ligado e desligado.
O SS é definido como:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
onde:
* $$V_{gs}$$ é a tensão porta-fonte
* $$I_{ds}$$ é a corrente dreno-fonte
O SS é normalmente medido em milivolts por década. Um SS mais baixo indica um MOSFET mais eficiente, pois requer menos oscilação de tensão para alterar a corrente de dreno.
O SS é afetado por vários fatores, incluindo:
* A espessura do óxido da porta
* A dopagem das regiões de origem e drenagem
* O comprimento do canal
* A temperatura
A espessura do óxido da porta é o fator mais importante que afeta o SS. Um óxido de porta mais fino resulta em um SS mais baixo. No entanto, um óxido de porta mais fino também torna o MOSFET mais suscetível à quebra.
A dopagem das regiões fonte e dreno também afeta o SS. Uma concentração de dopagem mais elevada resulta num SS mais baixo. No entanto, uma maior concentração de dopagem também aumenta a resistência parasitária do MOSFET, o que pode degradar o seu desempenho.
O comprimento do canal é outro fator importante que afeta o SS. Um comprimento de canal mais curto resulta em um SS mais baixo. No entanto, um comprimento de canal mais curto também torna o MOSFET mais suscetível a efeitos de canal curto, que podem degradar o seu desempenho.
A temperatura também afeta o SS. Uma temperatura mais alta resulta em um SS mais alto. Isto ocorre porque a mobilidade dos portadores de carga no MOSFET diminui à medida que a temperatura aumenta, o que torna mais difícil para o MOSFET alternar entre os estados ligado e desligado.
O SS é uma importante figura de mérito para os MOSFETs, pois indica a eficiência com que eles podem alternar entre os estados ligado e desligado. Ao otimizar o design do MOSFET, é possível obter um SS baixo, o que pode melhorar o desempenho do MOSFET.